삼성전자, 2028년 D램에 차세대 ASML High-NA EUV 첫 도입
AI가 정리한 핵심
삼성전자가 8일 네덜란드 ASML과 협력을 넓혀 2028년 D램 양산에 차세대 하이(High)-NA EUV 노광장비를 업계 최초로 도입한다고 밝혔다. 렌즈 개구수를 0.33에서 0.55로 높여 더 미세한 회로를 새길 수 있어 D램 미세공정 한계를 늦추는 기술이다.
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