삼성전자, 2028년 D램에 차세대 'High-NA EUV' 업계 첫 도입
AI가 정리한 핵심
삼성전자가 2028년 D램 양산에 업계 최초로 차세대 노광장비 하이NA(고개구) EUV를 도입한다. ASML이 주도하는 12인치 포토마스크 컨소시엄에도 참여해, 렌즈 수치구경을 0.33에서 0.55로 높인 미세공정으로 D램 초격차를 이어간다는 전략이다.
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